注入电流对外腔半导体激光器边模抑制比的影响

来源 :南昌工程学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：die0410

【摘要】

：

考虑半导体激光器（SL）、光纤光栅外腔（FGE）二者的共同作用,在确定光纤光栅外腔半导体激光器（FGESL）的激光纵模分布后,利用FGESL满足的多模速率方程,研究了注入电流对FGESL边模抑制

【作者】

：

何玉平周寒青李未

【机构】

：

南昌工程学院理学系,浙江工业大学理学院

【出处】

：

南昌工程学院学报

【发表日期】

：

2011年1期

【关键词】

：

光纤光栅外腔半导体激光器注入电流外腔长度边模抑制比 fiber grating external cavity semiconductor lasers

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考虑半导体激光器（SL）、光纤光栅外腔（FGE）二者的共同作用,在确定光纤光栅外腔半导体激光器（FGESL）的激光纵模分布后,利用FGESL满足的多模速率方程,研究了注入电流对FGESL边模抑制比的影响.数值模拟的结果表明：FGESL的边模抑制比（SMSR）随注入电流的增大总体上呈现上升趋势,但其变化过程中有波动,在短外腔时尤其明显.

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