150kHz的IGBT可取代MOSFET功率管

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【摘要】

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<正>IGBT自发明至今已将近15年,它仍一直有望在中等电压范围(400～600V)的各种应用中取代MOSFET功率管.但它们迄今还未能如愿以偿,基本原因有二:首先是IGBT的速度还不够快,不足

【作者】

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Goode. F

【出处】

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电子产品世界

【发表日期】

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1997年8期

【关键词】

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IGBT MOSFET 功率晶体管

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<正>IGBT自发明至今已将近15年,它仍一直有望在中等电压范围(400～600V)的各种应用中取代MOSFET功率管.但它们迄今还未能如愿以偿,基本原因有二:首先是IGBT的速度还不够快,不足以应付许多应用;其次,尽管有迹象表明IGBT系统的成本应当更低,但实际上并不那么经济实惠——尤其是与MOSFET的极低价格相比更是如此.MOSFET能胜任许多应用,其价格在过去几年里已下降得很低.

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