【摘 要】
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采用电流斜坡法测试了４种不同金属化样品，其ｎ值分别为：２．２９（Ａｌ－Ｓｉ合金膜），１．２５（Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ合金膜），１．２８（Ａｌ－Ｓｉ／Ｔｉ双层金属化），１．２３（Ａｌ／ＴｉＷＴｉ／Ａｌ多层金属化）．结果表明，ｎ值与材料有关，电迁徙阻力越高ｎ值越小，与ＢＬＡＣＫ方程相符。同时，考察了不同温度和不同电流上
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采用电流斜坡法测试了４种不同金属化样品，其ｎ值分别为：２．２９（Ａｌ－Ｓｉ合金膜），１．２５（Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ合金膜），１．２８（Ａｌ－Ｓｉ／Ｔｉ双层金属化），１．２３（Ａｌ／ＴｉＷＴｉ／Ａｌ多层金属化）．结果表明，ｎ值与材料有关，电迁徙阻力越高ｎ值越小，与ＢＬＡＣＫ方程相符。同时，考察了不同温度和不同电流上升斜率对ｎ值测量结果的影响，试验表明，在相当宽的温度范围和测试时间内获得的ｎ值一致性很好。
Four kinds of metallized samples were tested by current-ramp method and their n-values were 2.29 (Al-Si alloy film), 1.25 (Al-Si-Cu alloy film), 1.28 / Ti bimetallic), 1.23 (Al / TiWTi / Al multi-layer metallization). The results show that the value of n is related to the material, the higher the resistance to electromigration is, the smaller the value of n is, which is consistent with the BLACK equation. At the same time, the effect of different temperature and different current rising slope on the measurement of n value was investigated. The experiment shows that the consistency of n value obtained in a very wide temperature range and test time is very good.
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