【摘 要】
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一般的金属-氧化物-半导体集成电路(MOSIC),都是由P沟MOS晶体管构成的,但是P沟MOS集成电路有下述缺点: (1)传导载流子是空穴,所以迁移率低,开关速度慢; (2)由于电源电压是负
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一般的金属-氧化物-半导体集成电路(MOSIC),都是由P沟MOS晶体管构成的,但是P沟MOS集成电路有下述缺点: (1)传导载流子是空穴,所以迁移率低,开关速度慢; (2)由于电源电压是负的,所以不易与双极集成电路混用。与此相反,所用的器件都用N沟MOS晶体管构成的N沟MOS集成电路时有下
A typical metal-oxide-semiconductor integrated circuit (MOSIC) is composed of P-channel MOS transistors. However, the P-channel MOS integrated circuit has the following drawbacks: (1) Conducting carriers are holes, so the mobility is low , Switching speed is slow; (2) Because the power supply voltage is negative, it is not easy to mix with bipolar integrated circuits. In contrast, all of the devices used have N-channel MOS integrated circuits consisting of N-channel MOS transistors
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