ULSI硅衬底化学机械研磨技术研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lmx1983

【摘要】

：

通过对传统硅片研磨加工工艺过程中的问题进行深入研究和分析,总结了影响硅片表面质量的主要影响因素,提出了将化学机械平整化技术应用到ULSI硅衬底研磨加工的新方法,在研磨

【作者】

：

周建伟刘玉岭张伟

【机构】

：

河北工业大学微电子研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年z1期

【关键词】

：

硅片 CMP 表面活性剂研磨速率粗糙度

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通过对传统硅片研磨加工工艺过程中的问题进行深入研究和分析,总结了影响硅片表面质量的主要影响因素,提出了将化学机械平整化技术应用到ULSI硅衬底研磨加工的新方法,在研磨加工过程中减少强烈的、单一的机械作用,增加化学作用.通过实验研究得出了研磨速率提高20%,表面粗糙度降低,有效地降低了硅片表面损伤.

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