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本文中，我们利用ｎＭＯＳＦＥＴ‘ｓ器件反向关态电流对器件的热空穴的俘获率（我们定义它为在一个热载流子应力过程中界面俘获的空穴量）进行了初步的探讨。结果表明，热空穴的俘获率随应力时间呈对数增长；与漏附近栅氧中的纵向电场有直接的关系；与热空穴的注入效率没有明显的联系。
nMOSFET‘S界面对热空穴俘获率的研究
【摘 要】
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本文中，我们利用ｎＭＯＳＦＥＴ‘ｓ器件反向关态电流对器件的热空穴的俘获率（我们定义它为在一个热载流子应力过程中界面俘获的空穴量）进行了初步的探讨。结果表明，热空穴的俘获率随应力时间呈对
【机 构】
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清华大学微电子学研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1998年5期
【基金项目】
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国家“八五”攻关项目,“九五”攻关项目
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