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pMOS场效应管的X射线和低能强电子束的瞬态电离辐照效应
pMOS场效应管的X射线和低能强电子束的瞬态电离辐照效应
来源 :核技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:saintjob
【摘 要】
:
对电离辐照敏感的厚氧化层pMOS场效应管进行了X射线和低能强流电子束的瞬态辐照实验;通过对阈电压漂移的跟踪监测,研究了pMOS场效应管的瞬态电离辐照效应。运用辐射感生氧化物、界面缺陷
【作 者】
:
范隆
靳涛
何承发
严荣良
沈志康
【机 构】
:
中国科学院新疆物理研究所,西北核技术研究所
【出 处】
:
核技术
【发表日期】
:
1998年9期
【关键词】
:
pMOS场效应管
瞬态
X射线
电子束
电离辐照
pMOS FETs
Transient irradiation
Threshold voltage shi
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对电离辐照敏感的厚氧化层pMOS场效应管进行了X射线和低能强流电子束的瞬态辐照实验;通过对阈电压漂移的跟踪监测,研究了pMOS场效应管的瞬态电离辐照效应。运用辐射感生氧化物、界面缺陷模型并结合MOS器件寄生二极管等效电路模型解释了实验结果。
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