【摘 要】
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作为现代电力电子核心器件之一的P沟道VDMOS（vertical double-diffuse,MOS）器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压
【机 构】
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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61106106);中央高校基本科研业务费专项基金(K5051325002;K50511250008)~~
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作为现代电力电子核心器件之一的P沟道VDMOS（vertical double-diffuse,MOS）器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压超过-200V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及复合耐压终端结构,并开发了一套完整的P沟道VDMOS专用非自对准工艺流程。最后通过仿真得到器件的击穿电压超过-200V,阈值电压为-2.78V,完全满足了设计要求,也为下一步流片提供了有益的参考。
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