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提出了一种新型的SOI衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管（LIGBT）。该LIGBT在漂移区采用了超结（sJ）结构，并且在阳极采用了新颖的阳极辅助栅结构。这种器件由于采用了上述2种结构，相比于普通的LIGBT，它的正向压降更低，开关速度更快。文章对器件的一些关键参数（如P-drift区掺杂浓度、阳极栅宽度和载流子寿命）对器件关断时间的影响进行了仿真。仿真结果表明，提出的新型结构器件与常规LIGBT器件相比，关断速度可以提高30％。