超结器件相关论文
随着功率集成电路(Power Integrated Circuit,PIC)的发展,横向双扩散MOS器件(Lateral Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor......
本文研讨了不同类型的超结器件实现低于250V击穿电压的可扩展性.以额定击穿电压为80V的超结功率MOSFET为例,研究了器件几何构造和......
对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍.以应用超结理论的C00LMOSTM器件为例,介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提......
提出了一种新型的SOI衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管（LIGBT）。该LIGBT在漂移区采用了超结（sJ）结构，并且在阳极采用了新颖的阳极辅助栅......
为了提升超结器件在空间辐照环境下的可靠性,针对额定电压为700 V的超结器件提出了一种新型结构.加固的结构在标准SJVDMOS平面栅的......
超结器件打破了传统意义上的“硅极限”,具有优良的电学性能,有望代替常规功率MOSFET应用在空天飞行器电源等。然而,空天飞行器所......
从超结电荷场对电势场的调制机理出发,以等效衬底模型(ES模型)和理想衬底条件为指导,在横向SOI超结器件中利用电荷补偿的思想得到......
人类使用的电能75%以上是由功率半导体转换,功率MOS器件是功率半导体的主力军,兼具高耐压VB和低比导通电阻Ron是其研究之热点。本......
SOI智能功率集成电路(Smart Power IC,SPIC)因其SOI(Silicon-On-Insulator)材料介质层的存在,相较于硅基芯片,能实现更高的集成度......
对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOSTM器件为例,介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提......
