SiGe HBT和Si BJT的γ射线辐照效应比较

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hengheng5251984

【摘要】

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比较了经剂量为400 krad(Si)的Y射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化.通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也

【作者】

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康爱国孟祥提王吉林贾宏勇陈培毅钱佩信

【机构】

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清华大学核能技术设计研究院,清华大学微电子学研究所

【出处】

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半导体技术

【发表日期】

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2002年12期

【关键词】

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SIGE HBT SI BJT γ射线辐射直流电学特性硅锗异质结对极晶体管同硅双极晶体管 SiGe HBT Si BJT γ-ray irradiati

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比较了经剂量为400 krad(Si)的Y射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化.通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下变化幅度比SiGe HBT约高一个量级.表明SiGe HBT比Si BJT有更好的抗辐照性能,并对辐照导致的电特性的变化原因进行了初步解释.

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