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采用金属氧化物化学气相沉积（MOCVD）方法在石英衬底上生长氧化锌（ZnO）薄膜。改变薄膜材料的生长温度和掺杂气体硼烷（B2H6）的流速，制备一系列薄膜样品。通过X-射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透过率、反射率、电阻率和原子力显微镜（AFM）等测试分析，研究了材料生长温度和B2H6流速对薄膜生长速度、微观结构、薄膜晶向、光学透过率、光学禁带宽度、电阻率、表面粗糙度等特征参量的影响，经过优化实验条件，获得薄膜电阻率在10^-3Ω·cm量级，可见光区域光学透过率在85％以上，成功制备