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本文从单带双谷模型出发研究了电子在量子阱内遭到散射时电子状态及隧穿几率的变化。弹性散射使用δ散射势来计算,非弹性散射则用虚散射势来描述。前者使隧穿电流峰向高电压端移动,后者减弱了电流峰的谐振强度。分别讨论了位于势阱和势垒层中的散射中心的不同散射作用。隧穿电流的变化趋势同中子辐照实验数据相吻合。
散射对量子阱隧穿电流的影响
【摘 要】
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本文从单带双谷模型出发研究了电子在量子阱内遭到散射时电子状态及隧穿几率的变化。弹性散射使用δ散射势来计算,非弹性散射则用虚散射势来描述。前者使隧穿电流峰向高电压
【机 构】
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“半导体超晶格”国家重点实验室,北京912信箱,南京电子器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1992年4期
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