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研究了“高K栅”介质HfO：和电荷失配对4H．碳化硅（SiC）基半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET）单粒子烧毁（SEB）和单粒子栅穿（SEGR）效应的影响，并给出了一种加固结构。研究结果表明，HfO：介质的应用对器件SEB效应没有影响，但栅氧化层电场峰值降低了83％，对SEGR效应有加固作用。结合HfO2介质层和增加沟道掺杂浓度两种方法的加固结构，在不影响器件阈值电压的同时．器件的SEB阈值电压为1290V，提高了28％；栅氧化层的电场峰值为2．2×10^6V／cm，