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垂直双扩散金属氧化物半导体效应管相关论文
4H-SiC基半超结VDMOSFET单粒子效应加固研究
研究了“高K栅”介质HfO:和电荷失配对4H.碳化硅(SiC)基半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET)单粒子烧毁(SEB)和单粒子......
期刊
垂直双扩散金属氧化物半导体效应管
单粒子效应
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