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深亚微米设计中天线效应的消除
深亚微米设计中天线效应的消除
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jianfei
【摘 要】
:
分析了PAE效应(process antenna effect)的成因,并在此基础上提出了几种在深亚微米ASIC设计中消除PAE效应的方法.其方法应用于“龙芯-ICPU”的后端设计,保证了投片的一次成功.
【作 者】
:
杨旭
黄令仪
叶青
周玉梅
【机 构】
:
中国科学院微电子研究所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2004年7期
【关键词】
:
PAE效应
等离子
栅氧化层
可靠性
EEACC
1265A
2570A
PAE
plasma
gate oxide
reliability
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分析了PAE效应(process antenna effect)的成因,并在此基础上提出了几种在深亚微米ASIC设计中消除PAE效应的方法.其方法应用于“龙芯-ICPU”的后端设计,保证了投片的一次成功.
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