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采用自隔离D／ENMOS－VDMOS工艺技术设计研制一种具有热开关闭（150℃）电流限制（10A）过压保护和栅静电放电保护等功能的低边高压 智能功率开关（IPS）器件。
自隔离单片低边智能功率开关（IPS）
【摘 要】
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采用自隔离D／ENMOS－VDMOS工艺技术设计研制一种具有热开关闭（150℃）电流限制（10A）过压保护和栅静电放电保护等功能的低边高压 智能功率开关（IPS）器件。
【机 构】
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航天总公司七七一研究所
【出 处】
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微处理机
【发表日期】
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1996年1期
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