功率开关相关论文
在小功率开关电源中反激变换器应用广泛,同步整流技术的引入使反激变换器的工作效率得到显著提升.基于自驱同步整流技术原理,提出......
开发700V高压BCD(BJT/CMOS/DMOS)工艺技术。该工艺在CMOS工艺基础上主要增加As埋层注入、p_top降场层注入以及Pbase注入等工艺步骤......
本文介绍了一种由高压双极型晶体管和低压功率MOSFET管结合而成的单片共射共基极结构智能功率开关.从结构和电气特性两方面描述了......
利用窄能隙SiCGe三元合金,采用SiCGe/SiC pn异质结产生基极光电流方法,用数值模拟法就提出的碳化硅光控达林顿异质结晶体管功率开......
本文利用二维数值模拟软件对一种新型功率器件TIGBT(Trench Insulated-Gate Bipolar Transistor)进行了数值分析,并根据数值分析结......
PND(个人导航设备)一类的汽车配件通常会用一个插入到点烟器的简单适配器,获得自己的电源并充电。不过,有时候可能想同时为两个设......
伴随技术拓展,电气控制依循的途径,也在不断更替。汽车电气及关涉的电子控制,经由长时段的变更,正在渐渐完善。本文明晰了电子控制......
意法半导体推出了采用先进的Power FLATTM 5mm×6mm双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密......
TDA4918/TDA4919是西门子公司生产的带有MOSFET驱动器输出的开关型电源控制IC。本文介绍了它们的内部结构、主要特征、功能及其应用电路
The TDA4918 / TD......
某些电路常常利用印制电路板上的铜箔线条作为检测电流的小阻值电阻,这种铜箔电阻的优点是简单经济、设计灵活、与电路板上的其它......
IR2155是高压、高速MOS栅驱动集成电路,主要应用于高额开关电源、交流与直流电机驱动器、荧光灯交流电子镇流器及高频变换器中。I......
介绍一种二相正交脉冲发生器.它由智能功率开关和4017等组成.具有电路简单、易于调试等特点.
This paper introduces a two-phase......
用脉冲线加速器作驱动电源 ,在充以 15Pa的氮气十隙虚火花放电室中获得电压为 2 0 0kV ,束流大于2kA的高亮度电子束 .用罗格斯基线......
VIPer系列单片IC集先进的电流型PWM控制电路和功率开关于一体,功率开关管是采用专利技术制造的纵向智能功率MOSFET,可编程开关频率达200kHz,这种精巧独特的IC可......
针对开关电容DC-DC变换器的效率会随着输入电压的增高而显著下降的现象,提出了一种新型的基于开关电容网络的AC-DC变换器。它采用根据输入电压......
基于正弦脉宽调制的基本原理,本文提出了一种新型的正弦脉宽调制器。只由4片集成电路组成。具有简单、实用、可靠、实时性好、调制精......
飞利浦半导体公司开发了一种具有极低开态电阻和额定电压为200V的功率MOS-FET器件。这种“硅MAX”器件采用沟槽MOS工艺,兼有大功耗和快速开关速度的性......
介绍了一种新型DC/AC变换器的拓扑结构。仅在增加一个功率器件的基础上能够实现功率开关的软开关工作方式,较好地解决了此类电路中的......
VK05CFL是意法半导体(ST)公司采用“VIPower M3-3”专利技术、专门为驱动5~23W小功率紧凑型荧光灯(CFL)而设计的单片IC。这种新型......
美国洛克韦尔科学(RSC)已接到国防先进研究计划局(DARPA)一份价值为180万美元的合同,为其新兴军事系统的应用研制开发高效兆瓦级......
据《Semiconductor FPD World》(日)2004年第2期报道,日本松下电器产业成功开发了GaN MMIC的大功率开关IC。该开关IC的输出功率是......
安森美半导体推出后稳压、双N沟道MOSFET驱动器NCP4330,能提高常用于ATX和高功率开关电源(SMPS)的正激转换器的效率。 NCP4330为串......
无产阶级文化大革命以来,我厂在模具制造和特殊零件加工中广泛采用了电火花加工技术,为了扩大电加工使用范围,进一步提高其工艺指......
长期以来,单晶片双向功率开关元件一直处于尚待开发状态,连同电流幅值的大幅度交变所引起的换流电路的困难和系统控制的复杂性,使......
针对抗电磁干扰的需要提出了一种由SiCGe/3C-SiC异质结构成的光控达林顿晶体管设计.用多维器件模拟软件ISE对这种新型功率开关进行......
美国外延片开发商和半导体制造商EpiWorks公司在其香巴尼工厂安装新型MOCVD设备,扩大其6英寸HBT外延片的产量,年产量为5万片。该公......
DN-16-1型点焊机是广州电焊机厂在传统的非自动化脚踏传动点焊机的基础上改进电子控制而成,其电气线路采用了先进的电子控制装置,......
TDA8922CJ是一种高效率D类音频功率放大器IC。在6Ω的扬声器负载阻抗下输出功率为2×75W。TDA8922CJ的应用主要是面向DVD、小型/......
本文对半桥拓扑结构中高端MOSFET的变压器和硅芯片两种不同驱动方案进行了详细的分析比较,从各种因素考虑,建议选择诸如NCP5181的......
AIXTRON宣布HRL Laboratiories向其订购了一套6×2 CCS MOCVD系统。HRL将用这套系统来研究先进的GaN技术,包括生长毫米波功率型GaN......
本文主要介绍了新型600V量级器件工作的高效率GaN产品应用。
This article describes the application of high efficiency GaN p......
意法半导体推出了用于太阳能模块的新一代高能效的冷却旁路开关(CoolBypass SWitch)系列。新产品可进一步提高太阳能发电效率并降......
欧盟项目组HiPoSwitch,成功研发了一款快速高效增强型氮化镓功率开关。单一器件晶体管仅4.5×2.5mm2,经过优化可应用于600V条件下,......
随着增加强型650V硅基氮化镓晶体管GS65516T问世,GaN Systems公司的增强型硅基氮化镓晶体管产品再增新品,GS65516T据称能提供60A市......
日本松下公司在栅注入晶体管结构中嵌入混合漏极,对常关态氮化镓晶体管的电流崩塌进行抑制达800V。混合漏极由一个普通漏极和一个......
功率半导体适用于能源与环境领域的产品,也适用于汽车、工业设备、家用电器等批量化产品,是电力电子(PE)技术的关键器件。本文以功......
美国北卡罗莱纳州立大学未来可再生能源传输和管理(FREEDM)系统中心研制出高压和高频碳化硅(SiC)功率开关,成本远低于同等碳化硅功......
报道了一款应用于Ku波段的GaN T/R MMIC。该芯片采用0.15μm GaN HEMT器件工艺制造,集成了T/R组件的接收通道和发射通道,芯片面积7......
针对TIG焊接熔深较浅和效率较低的不足,提出一种分区钨极TIG焊接方法.该焊接方法采用大功率开关器件控制焊接回路的轮流通断,实现......
【摘要】介绍KT-DF100A100KW短波发射机功率模块工作原理,分析当功率模块烧坏出现故障的原因及对故障进行修复的方法。 【关键词......