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以硅－二氧化硅复合靶作为溅射靶，改变靶上硅民总靶面积比为０％，７％，１０％，２０％和３０％，用射频磁控溅方法在ｐ型硅底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜，所有样品都在３００℃氮气氛中退火３０分钟，通过Ｘ射线光电子能谱，光吸收和光致发光测量确定出：随着硅在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧经硅薄膜中纯硅（纳米硅）的量在增加，纳米硅粒的平均光学带隙在减小，但不同富硅量的二氧化硅膜的光致发光谱峰都接近于