以硅－二氧化硅复合靶作为溅射靶，改变靶上硅民总靶面积比为０％，７％，１０％，２０％和３０％，用射频磁控溅方法在ｐ型硅底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜，所有样......