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基于稳态电流测试方法的IDDQ测试,因其故障覆盖率高,在集成电路测试中得以广泛应用.IDDQ测试的概念比较简单,但实现并不容易,特别是当今SOC和深亚微米技术的影响使得其实现更为复杂,有必要作以全面、系统化的研究.本文的第1节概括地总结了IDDQ测试的发展和目前的现状,对IDDQ测试广泛应用的原因作了阐述.第2节论述的是测试机理,同时用一些重要的术语和数据来说明深亚微米等技术对IDDQ测试的影响.第3节研究的是适于IDDQ测试的各种电流测量方法和结构.第4节深入地研究了CMOS电路中的物理缺陷及其电流测试