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本文针对衬底正偏的ＭＯＳＦＥＴ的解析模型进行了讨论，在已有ＭＯＳＦＥＴ理论基础上，仅引入一个参数ζ，便得到了全偏压范围的ＭＯＳＦＥＴ的解析表达式的通式，当ζ＝１时，该表达式与已知的衬底负偏的ＭＯＳＦＥＴ的表达式相同，当ζ＝０．８时，可得到衬底正偏的ＭＯＳＦＥＴ的近似解析式，实验结果验证了该模型的正确性。