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原料采用固液同成分配比,在LiNbO3(LN)晶体中掺入质量分数为0.1%CeO2和0.015%MnCO3,摩尔分数分别为0,1%,2%和3%的In,用提拉法生长In:Ce:Mn:LN晶体.测试了In:Ce:Mn:LN晶体的红外透射光谱和抗光损伤能力.结果表明:3%In:Ce:Mn:LN晶体的OH-振动吸收峰紫移到3 508 cm-1位置;其抗光损伤能力比Ce:Mn:LiNbO3晶体提高2个数量级以上.利用二波耦合光路测试晶体的写入时间(τw)、擦除时间(τe)和衍射效率(η),计算晶体的动态范围(M#)