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本文针对高压VDMOS器件的结终端技术进行研究。文中分析了场板、场限环、截止环、结终端扩展技术以及横向变掺杂的基本设计方式和提升器件耐压的机理，并设计了一款600V高压VDMOS的复合终端结构，经封测及可靠性验证，性能稳定。
高压VDMOS结终端技术研究
【摘 要】
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本文针对高压VDMOS器件的结终端技术进行研究。文中分析了场板、场限环、截止环、结终端扩展技术以及横向变掺杂的基本设计方式和提升器件耐压的机理，并设计了一款600V高压VDMOS的复合终端结构，经封测及可靠性验证，性能稳定。
【出 处】
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机电元件
【发表日期】
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2020年01期
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