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研究了一种大功率低功耗p^+(SiGeC)-n^--n^+异质结二极管结构,分析了Ge、C含量对器件正向通态特性的影响。结果表明:与常规的sip—i—n二极管相比,在正向电流密度不超过1000A/cm^2情况下,p^+(SiGeC)-n^--n^+二极管的正向压降有明显的降低。当电流密度为10A/cm^2时,Sip—i—n二极管的压降为0.655V,而SiGeC异质结二极管的压降只有0.525V,大大降低了器件的通态功耗。在相同正向电流密度的条件下,SiGeC异质结二极管在n^-区存储的载流子比Si二极管