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本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源，Ni（NO3）2作为催化剂，在Si（111）衬底上制得针尖状GaN纳米棒。测试结果表明制备的CaN纳米棒是沿〈100〉方向生长的纯六方相结构。通过对生长过程的分析，我们认为GaN纳米棒的生长过程不仅受到VIS机制的控制，而是多种生长方式共同作用的结果。在反应的初期，GaN纳米棒的生长遵从VIS机制；但是随着CaN纳米棒轴向和径向的生长，GaN纳米结构中纳米棒端部的Ni催化剂纳米球会被“挤”出顶部，在较大的气流流速下被吹落至衬底上，失去催化剂诱导作用的纳米棒随后