本征纳米硅薄膜的微结构表征

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mythzhang
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采用PECVD技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征纳米硅薄膜,并利用Raman谱对其微结构作了表征。研究结果表明,硅烷浓度、衬底温度Ts对表征纳米硅薄膜微结构的晶化率和平均晶粒尺寸参数影响很大。SiH4浓度越低,越有利于晶化,对应的晶化率拐点温度越低。平均晶粒尺寸、晶化率随衬底温度的升高具有相似的变化规律,谱中出现的拐点温度一致,暗示它们之间存在紧密的联系。从薄膜生长角度对该实验结果作了合理解释。
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