【摘 要】
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介绍了InSb红外成像探测器用背面入射型InSb光电二极管的结构和工作原理.探讨了用InSb光电二极管阵作探测器,用Si-CCD作信号传输片的混合型结构和两者的结合方法。研究了这种
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介绍了InSb红外成像探测器用背面入射型InSb光电二极管的结构和工作原理.探讨了用InSb光电二极管阵作探测器,用Si-CCD作信号传输片的混合型结构和两者的结合方法。研究了这种成像探测器的特性,证明灵敏度可达D~*=4.4×10~(11)CmHz~(1/2)W~(-1),温度分辨力为NETD=0.05～0.06℃。
The structure and working principle of back-incident InSb photodiode for InSb infrared imaging detector are introduced.The hybrid structure using Si-CCD as signal transmission slice with InSb photodiode array and the combination of the two are discussed. The characteristics of the imaging detector are studied. The sensitivity is up to D * * = 4.4 × 10 ~ (11) CmHz ~ (1/2) W ~ (-1) and the temperature resolution is NETD = 0.05 ~ 0.06 ℃.
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