论文部分内容阅读
利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-χNχ混晶的发光复合机制.GaP1-χNχ混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高组分杂质带发光的特征,表现出明显的带隙降低的趋势.测量结果显示,在组分χ≥0.24%的样品的发光谱中NN1能量之下已经开始出现几个新的束缚态,在低组分的混晶中,只存在一种激活能,仍然保持有束缚激子的特征;而在高组分样品(χ≥0.81%)中存在两种激活能.高组分样品一方面仍保留有束缚激子的特征.另一方面也表现出新的发光机制.