变温光致发光相关论文
目前,半导体材料仍然是光电领域的研究热点。在近二十年间,铅卤基钙钛矿材料在太阳能电池和发光二极管领域表现出广阔的应用前景。......
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层。利用变温光致发光研究了InA......
基于实验和理论模拟研究了12～320 K温度范围内八羟基喹啉铝[tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum,Alq]和一种高效红光染料甲基-2-叔......
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层.利用变温光致发光研究了InAs......
采用成核掺杂法制备了高效发光的ZnSeS：Mn量子点,并通过稳态光致发光光谱以及时间分辨光谱研究了量子点的发光热稳定性。厚壳层的Zn......
采用低压金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层。利用变温光致发光研究了InAs0......
制备了Mn掺杂Zn-In-S量子点并研究了Zn/In的量比和反应温度对其发光性质的影响。在Mn掺杂的Zn-In-S量子点的发光谱中观测到一个600......
本文研究了重离子辐照前后SiO2／Si结构光学性质的变化。实验选择初始能量为414MeV，不同辐照总剂量的Sn离子，在室温下辐照氧化层厚度为......
研究了阴离子和阳离子混合型碘系钙钛矿薄膜材料的结构、光学性质及光致发光温度特性.研究发现,阴离子混合型碘系钙钛矿(MAPb(BrxI......
利用变温光致发光(PL)谱研究了一系列GaP1-χNχ混晶的发光复合机制．GaP1-χNχ混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声子伴线到高......
我们对用ＧＳＭＢＥ技术生长的Ｉｎ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓ／ＩｎＰ压应变单单量子阱样品进行了变温光致发光研究，Ｉｎ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓ阱宽为１ｎｍ到１１ｎｍ，温度变化范围为１０Ｋ到３００Ｋ，发现不同阱宽的压变变量子 激子跃迁能......
测量了红色和深红色发光的ZnCuInS量子点在100～300 K温度范围内的光致发光光谱,研究了ZnCuInS量子点的发光机理,对ZnCuInS量子点的......
利用变温光致发光（PL）研究了In0.182Ga0．818As／GaAs应变及应变补偿量子阱在77～300K温度范围内的发光特性。随着温度r的升高，PL峰位向低能......
