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对干O2和H2+O2栅氧化注F的Si栅P沟和N沟MOSFET进行了8MeV和12MeV质子辐照试验,通过分析阈电压和Lds-Vgs亚阈特性的辐射响应,发现MOS结构栅介质中F的引入能明显抑制辐射感生氧化物电荷的积累和Si/SiO2界面态的产生,导致PMOSFET较小的阈电压负向漂移和NMOSFET阈电正向回漂,且不受质子辐照能量的影响。