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本文主要讨论栅氧化层厚度、辐照总剂量以及偏置电场对硅栅MOS结构辐照感生氧化物电荷△Dit和界面态密度△Dit的影响。实验表明,在Co60γ射线辐照下,MOS结构的辐射损伤与栅氧化层厚度Tcx、辐射总剂量Dose及偏置电场E?有着强烈的依赖关系。由上述辐照损伤规律及MOSFET阈值电压漂移公式,可获得加固MOS器件的重要参数—栅氧化层厚度的最佳设计,这为研究Si—SiO2界面的辐射损伤机制及MOS器件的抗核加固工程提供了重要的实验依据。更多还原