硅栅器件相关论文
本文主要讨论栅氧化层厚度、辐照总剂量以及偏置电场对硅栅MOS结构辐照感生氧化物电荷△Dit和界面态密度△Dit的影响。实验表明,在......
用厚膜ＢＥＳＯＩ制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温￣２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。......
详细研究了硅栅ＣＭＯＳ集成电路场区电离辐射性能，分析了不同辐射下，Ｎ沟场氧器件阈值电压漂移随辐射剂量的变化及场区边缘辐射寄生漏电对非封......
本文报道一种低阻高化学稳定的Ａｌ：Ｔｉ合金的制备方法及其在ａ－Ｓｉ ＴＦＴ中的应用。所获Ａｌ：Ｔｉ合金电极材料和电阻率可达９。６μΩ·ｃｍ，与纯铝的相近。Ｔｉ的加入......
本文介绍了一种分布在划片槽内的PCM结构的测试方法。使用美国Keithley公司的S425参数测试系统，以3μmSi栅CMOS产品为研究对象，建立......
