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碳化硅（SiC）是一种具有优良物理性能的宽禁带半导体材料，可作为探测器的优良探测介质。用241Am源5．486MeV的α粒子研究4H—SiC肖特基二极管α探测器的能量分辨率和信号相对上升时间等特性。在真空室中，使SiC探测器暴露在仪粒子下，SiC探测器输出良好的响应信号。SiC二极管对5．486MeVα粒子的能量分辨率最佳可达3．4％；经前置放大器FH1047输出和示波器观测，脉冲幅度随偏压增加而稳定在（35．39±0．21）mV；脉冲上升时间随偏压增加而稳定在（137．87±9．44