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飞兆半导体（Fairchild）推出40VP沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141。FDD4141具有低导通阻抗，与目前的M0SFET相比能降低栅极电荷（QG）达50％，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。FDD4141采用PowerTrench工艺技术制造，将N沟道MOSFET的特性运用在P沟道MOSFET中，