N沟道MOSFET相关论文
凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高端、高频率N沟道MOSFET栅极驱动器LTC4440A-5,该器件能以高达80 V的输入电压......
9月初,亚德诺半导体(Analog Devices,Inc.,简称ADI)旗下凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速、高压侧N沟道MOSFE......
近日,亚德诺半导体旗下凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7001,该器件以高达150......
英飞凌公司推出采用SUPerS08和S308（Shrink SuperS08）封装的40V、60V和80V OptiMOS3N沟道MOSFET，在以上击穿电压下可提供无铅封装形式......
NCV8876非同步升压控制器工作输入电压范围为2～44V，带有自动唤醒及关闭功能，其设计用于为汽车启动一停止条件期间提供最小输出电压，以......
飞兆半导体（Fairchild）推出40VP沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141。FDD4141具有低导通阻抗，与目前的M0SFET相比能降低栅极电荷（QG）达5......
随着能源和环境问题的加剧,在行驶过程中几乎不会产生任何污染的电动汽车得到大力发展,作为电动汽车驱动能源的电池的性能决定着电......
LTC4368能替代熔断器、瞬态电压抑制器和分立电路，从而实现一种用于避免电子线路遭受有害的过流，以及过压、欠压和反向电压状况之损......
MAX17083专为空间紧张的应用而设计，在微小的16mm。TQFN封装中集成了双路n沟道MOSFET功率开关。内部25mΩ、低边功率MOSFET能够提供......
FDZ3N513ZT结合了一个30V集成式N沟道MOSFET和一个肖特基二极管，具有极低的输入电容（典型值45pF）和总体栅极电荷（1nC），占位面积仅为1mm&#......
该系列N沟道功率MOSFET提供高达500mJ的雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载导致过渡电压应力的设计。特性包括：导通阻抗......
LT3955使用了一个内部3.5A、80VN沟道MOSFET,能够采用额定12V输入驱动多达12个300mA白光LED,从而输送超过20W的功率。......
凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出60V、高压侧电流检测DC／DC转换器LT3755，该器件为驱动大电流LED而设计。4.5～40V的输......
凌力尔特推出具能量监视功能的热插拔控制器LTC4282，该器件具双路MOSFET驱动，可用来实现100A及较大电流的电路板设计。LTC4282通过控......
Vishay Intertechnology，Inc．推出旗下microBUCK系列集成同步降压稳压器中的新器件SIC414。6ASIC414是DC—DC转换器解决方案，具有先进......
ADP1621是一种可以配置为LED驱动器内核的灵活的升压控制器，它可以用外部器件优化以便适合几乎所有类型的PWM电流驱动LED背光的应用......
凌力尔特公司近日推出一款高压非隔离式同步降压型开关稳压控制器LTC3895，该器件可驱动一个全N沟道MOSFET电源级。其4V至140V（150V绝......
凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出1.0V电压范围、高端电流检测DC／DC转换器LT3756，该器件为驱动大电流LED而设计。其6V......
凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出LTC3872的H级版本，该器件是一款占板面积很小的550kHz固定频率升压型DC／DC控制器，规......
凌力尔特公司（LinearTechnologyCorporation）13前推出大功率两相单输卅同步升压型DC／DC控制器LTC3787，该器件用高效率N沟道MOSFET取代......
LTC3788／-1用一个高效率N沟道MOSFET取代了升压二极管。这消除了在中到大功率升压型转换器中通常需要的散热器。LTC3788／-1在5A输出......
Vishay Intertechnology．Inc．推出集成的DrMOS解决方案-SIC762CD。在紧凑的PowerPAK MLP6x6的40引脚封装内，该器件集成了对PWM信号优......
Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出具有为PWM优化的高边和低边N沟道MOSFET、全功能MOSFET驱动IC、自举二极管的集成DrMOS解决......
凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出LTC4441新的高可靠性（MP级）版本，该器件是一款6AN沟道MOSFET栅极驱动器，在-55℃至125......
凌力尔特公司（LinearTechnologyCorporation）推出0—18V双通道理想二极管控制器L1陀4353。该器件可取代两个大功率肖特基二极管，以低......
凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出高端、高频率N沟道MOSFET栅极驱动器IJTC4440A-5，该器件能以高达80V的输入电压工作......
凌力尔特公司（LinearTechnologyCorporation）；15出一款用于9-72V系统的理想二极管桥控制器LT4320。其采用低损耗N沟道MOSFET替代了全......
推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor）,针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列,进一步扩大......
同步降压型稳压器LTC3610可在电压低至0．6V时提供高达12A的连续输出电流。性能特点：宽VIN范围：4～24V（绝对最大值为28V）；内部N沟道MOSFET；效......
LM34917A及LM34919芯片采用固定导通时间（COT）控制技术，因此无须加设环路补偿功能。LM34917A降压稳压器可为负载提供1．25A的电流。此外......
快速恢复MOSFET STW55NM60ND是新的超结FDmesh II系列产品的首款产品，这是一款600VN沟道MOSFET，具有0．06（2的超低导通电阻，采用工业标准......
IR3651是同步PWM控制IC，可编程开关频率最高可达400kHz，适用于电信及基站电源应用、网络服务器、汽车和工业控制等多种应用。它是为......
采用SuperSO8和S308（Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET具有极低的通态电阻，40V系列具备最低1．8mΩ的通态电......
AAT4910采用一个逻辑输入同时驱动高／低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时，高侧外部MOSFET开启；当逻辑输入为低时，低侧MOSFET开启。......
LTC3786以一个高效率N沟道MOSFET取代了升压二极管。这样就可以去掉通常在中高功率升压型转换器中所需的散热器。在输入电压可能超......
采用PowerPAK SC-70（SMMA511DJ）封装的N沟道和P沟道12V MOSFET以及采用PowerPAK SC75（SMMB912DK）封装的20V双N沟道MOSFET适用于植入式......
LTC3113包括两个N沟道MOSFET和两个P沟道MOSFET，以提供高达96％的效率。用户可选突发模式（BurstMode）工作将静态电流降至仅为40uA，从而提......
NCV8871是一款输入电压范围为3．2～44V的宽输入电压器件，能用于驱动外部N沟道MOSFET。此器件包含的内部稳压器为门驱动器提供电荷，它在......
LTC3613是同步降压型DC／DC转换器，该器件具差分输出电压采样和时钟同步。受控的接通时间和谷值电流模式架构在瞬态事件时可通过提高......
SiA446DJ是一款采用小尺寸、热增强型SC-70封装的150V N沟道M0SFET，其占位面积为2mm×2mm，在10VF具有业内最低的导通电阻，可通过......
