Analysis and simulation of lateral PIN photodiode gated by transparent electrode fabricated on fully

来源 :Journal of Central South University of Technology | 被引量 : 0次 | 上传用户：hb2005_2009

【摘要】

：

一台新奇设备，由在充分弄空的 SOI 电影上制作的透明电极(LPIN PD-GTE ) 的侧面的大头针光电二极管 gated 被建议。ITO 电影作为门电极在设备被采用减少轻吸收。薄 Si 电影充

【作者】

：

谢海情曾云曾健平王太宏

【机构】

：

SchoolofPhysicsandMicroelectronicsScience

【出处】

：

Journal of Central South University of Technology

【发表日期】

：

2011年3期

【关键词】

：

PIN光电二极管全耗尽SOI ITO薄膜透明电极数值模拟制作栅极电压 Atlas lateral PIN photodiode transparen

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一台新奇设备，由在充分弄空的 SOI 电影上制作的透明电极(LPIN PD-GTE ) 的侧面的大头针光电二极管 gated 被建议。ITO 电影作为门电极在设备被采用减少轻吸收。薄 Si 电影充分在门电压下面被弄空完成低黑暗电流和高 photo-to-dark 电流比率。门电压的模型被获得，数字模拟被地图集介绍。在黑暗(黑暗电流) 和不到 570 nm 照明(相片电流) 中获得的 LPIN PD-GTE 的当前电压的特征被学习从 2 ～ 12 m 为活跃隧道长度完成最大的 photo-to-dark 电

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