【摘 要】
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利用分子束外延(MBE)技术在高指数面GaAs衬底上自组织生长了应变InGaAs/GaAs量子线材料.原子力显微镜(AFM)观测结果表明量子线的密度高达4×105/cm.低温偏振光致发光谱(P
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利用分子束外延(MBE)技术在高指数面GaAs衬底上自组织生长了应变InGaAs/GaAs量子线材料.原子力显微镜(AFM)观测结果表明量子线的密度高达4×105/cm.低温偏振光致发光谱(PPL)研究发现其发光峰半高宽(FWHM)最小为9.2 meV,最大偏振度可达0.22.以AlGaAs为垫垒,InGaAs/GaAs量子线为沟道,成功制备了量子线场效应管(QWR-FET)结构材料,并试制了器件,获得了较好的器件结果.
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