在同步辐射软X射线能区硅光电二极管的自标定

来源 :高能物理与核物理 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ykq1999
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在同步辐射软X光能区 ( 50— 2 0 0 0eV)进行了硅光电二极管的自标定实验 .因为消除了二极管的“死区”并采用很薄层的SiO2 作窗 ,使得可以用简单的模型来分析实验结果 .由实验测得的光电流 ,计算出硅光电二极管的量子效率 ,并求得入射同步辐射的光通量 A self-calibration experiment of silicon photodiodes was performed in a synchrotron soft X-ray energy region (50-2000 eV). Since the “dead zone” of the diode was eliminated and a very thin layer of SiO2 was used as the window, a simple Model to analyze the experimental results.From the experimentally measured photocurrent, the quantum efficiency of silicon photodiode was calculated and the luminous flux of incident synchrotron radiation
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