【摘 要】
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提出了一种用于半导体激光器热沉的金刚石膜／Ti／Ni／Au金属化体系．采用金属化前期须处理、电子束蒸镀技术和后续低温真空热处理，金属层和金刚石膜之间获得了良好的结合强度．AES分析
【机 构】
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天津大学材料科学与工程学院,电子部第十三研究所,河北省科学院
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提出了一种用于半导体激光器热沉的金刚石膜／Ti／Ni／Au金属化体系．采用金属化前期须处理、电子束蒸镀技术和后续低温真空热处理，金属层和金刚石膜之间获得了良好的结合强度．AES分析表明Ti／Ni／Au金刚石膜金属化体系中，Ni层起到了良好的阻挡效果；XRD显示须处理过的金刚石膜，镀膜后经过673K，2h低温真空热处理，Ti／金刚石膜界面形成TiO和TiC；RBS分析进一步证实该金属化体系在673K，1h真空加热条件下具有良好的热稳定性．采用完全相同的半导体激光器结构，金刚石膜热沉的热阻仅为氮化铝热沉的40
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