【摘 要】
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基于变插入层介电常数的多层绝缘结构能改善电场分布、提高真空沿面闪络特性.通过真空热压烧结制备了TiO2/Al2O3-Al2O3-TiO2/Al2O3（A-B-A）3层绝缘结构,A层w（TiO2）为0.5%到20%.测
【机 构】
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西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室
【基金项目】
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国家杰出青年科学基金资助项目（50625721）
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基于变插入层介电常数的多层绝缘结构能改善电场分布、提高真空沿面闪络特性.通过真空热压烧结制备了TiO2/Al2O3-Al2O3-TiO2/Al2O3（A-B-A）3层绝缘结构,A层w（TiO2）为0.5%到20%.测量了该绝缘结构的真空沿面闪络特性,发现闪络特性随w（TiO2）的增加而提高,当w（TiO2）为20%时,其脉冲初次闪络电压较同等厚度的Al2O3陶瓷提高了63%.研究发现：A层的介电常数可由w（TiO2）调控,介电常数的增大能有效降低真空-绝缘子-阴极三结合点处的电场强度;A层表面存在的TiO
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