论文部分内容阅读
采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管(MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2薄膜．X射线光电子能谱(XPS)分析结果显示：ZrO2薄膜成分均一，为完全氧化的ZrO2，其中Zr：O=1：2．2，锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空气中O2等杂质．扩展电阻法(SRP)和剖面透射电镜(XTEM)都表征出600℃退火样品清晰的ZrO2／top Si／BO／Si sub的结构，其中ZrO2／top Si界面陡直，没有界面产物生成．选区电子衍射显示薄膜在600℃快速退火后仍基本呈非晶态．研究了上述