在物理模型的基础上，对ＴＦＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ器件的电势和电场分布进行了解析分析，系统研究了漂移区掺杂浓度，漂移区长度，埋层ＳｉＯ２厚度和ＳＯＩ层厚度等结构参数同电......

提出了TFSOI RFSURF功率器件的表面电场分布和优化设计的新解析模型。根据二维泊松方程的求解，得到了表面电场和电势分布的相关解......