【摘 要】
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本文简要地介绍了利用C-V技术测量MOS电容的样品制备方法。制备MOS样品,一般都要求样品背面制成良好的欧姆接触。这里讨论另一种概念,即在样品背面保留氧化层,从而制成电容,
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本文简要地介绍了利用C-V技术测量MOS电容的样品制备方法。制备MOS样品,一般都要求样品背面制成良好的欧姆接触。这里讨论另一种概念,即在样品背面保留氧化层,从而制成电容,使工序简化,并使制备过程中引入的沾污也减少。
This article briefly introduces the sample preparation method for measuring MOS capacitors using C-V technology. Preparation of MOS samples, the back of the sample are generally required to make a good ohmic contact. Another concept discussed here is to retain the oxide layer on the back of the sample to make the capacitance, to simplify the process and to reduce the contamination introduced during the manufacturing process.
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