肖脱基势垒相关论文
电子总合研究所从事约瑟夫逊检测器等的研究,已研制出超肖脱基二极管(SSD),而所试制的在GaAs基底上接合Nb超导体的SSD则可作为可......
目前工艺水平的重大进展——凝视式焦平面阵列技术促进了便携式反坦克导弹的研制。这种反坦克导弹可以“打了不管”（fire-and-forge......
概述肖脱基势垒红外探测器为制造高度均匀的单片式红外电荷耦合器件(IRCCD)焦平面阵列提供了可能。在p型硅上,PtSi的势垒高度约为......
一、红外电荷转移器件的效能与红外焦平面阵列的发展红外电荷转移器件主要包括红外电荷耦合器件与红外电荷注入器件两大类型。现......
最近根据国外一些文献报导,美帝正在研究把电真空技术和半导体技术结合起来,制成一种新型器件。从报导看,这类器件现有两种型式: ......
本文介绍IRCCD的基本种类,叙述其结构形式、制作材料、目前存在的问题及改进措施。并评述其各方面及各种器件的发展前景,给出了典......
本文简要地介绍了利用C-V技术测量MOS电容的样品制备方法。制备MOS样品,一般都要求样品背面制成良好的欧姆接触。这里讨论另一种概......
引言在双极晶体管不能达到的工作频率上具有良好性能的砷化镓肖脱基势垒栅微波场效应管(MFSFET)近十余年所取得的进步,可得出这样......
磷化铟和与它有关的三元四元合金是目前认为作光电及微波器件比较有前途的材料.上述一些器件的制备工艺虽尚未成熟,但已发现材料......
评论了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的欧姆接触工艺技术。首先介绍在金属—半导体(肖脱基势垒)接触中电流输运的基本原理。电流输运方式是......
国外重点研究、生产和使用的红外光电探测器,工作波长大都在1～3、3～5和8～14微米范同内,这主要是由探测目标的辐射特性和大气层对红外......
1979年RCA研制了25×50元的PtSi肖脱基势垒单片式IRCCD焦面阵列,对下列几项主要参数作了测试,并将其作为未来改进器件特件的努力......
重点介绍PtSi肖脱基势垒红外焦平面光腔的介质生长技术及介质的折射率和介质层厚度对PtSi肖脱基势垒探测器性能的影响,发现适当的......
金属硅化物可被用作肖脱基势垒(Schottky barrier)和硅器件的欧姆接触,特别是几种难熔金属硅化物,据报导在大规模集成电路中有重......
在GaAs外延层上用电子束蒸发Nb及直流等离子体溅射Mo和Au的办法,制备了GaAs-Nb-Mo-Au结构的肖脱基势垒二极管.用XPS结合氩离子刻蚀......
本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双......
在3—5μm红外波段，用PtSi／P-Si肖脱基势垒二极管（SBD）作为探测器的64位IRCCD摄像器件已经研制出来。探测器做成光腔结构，量子效率可提......
已经用砷化镓制作出高 Q 表面波谐振器,并且用来控制振荡器的频率。由于砷化镓既是压电材料,又是半导体材料,因此有可能用来对全单......
本文主要对单壁碳纳米管的化学沉积生长和单壁管的一些电学性质进行了研究。 共分为五章，在第一章前言中简单介绍了碳纳米管的发......
本文介绍肖脱基势垒红外摄象器件的工作原理;最近的重大进展及几种典型器件的结构。尤其是光学谐振腔及对不均匀性的校正技术。......
