【摘 要】
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IGBT兼具MOSFET管电压激励和达林顿管饱和电压低的特点,作为一种新型的大功率器件在逆变焊机,三相马达变频器,开关电源、UPS电源方面获得广泛的应用。本文阐述了IGBT的特点,
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IGBT兼具MOSFET管电压激励和达林顿管饱和电压低的特点,作为一种新型的大功率器件在逆变焊机,三相马达变频器,开关电源、UPS电源方面获得广泛的应用。本文阐述了IGBT的特点,并与MOSFET进行详细的比较,最后就IGBT在开关电源中运用的可能性进行了论述。IGBT的特征IGBT是既具有MOSFET的高速和电压驱动特性,又具有双极晶体管饱和电压低的高压大功率器件。1985年,第1代IGBT为500V25A级。第二年又开发出耐压1000V的产品,开始用于低噪音变换器。
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