【摘 要】
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Vishay Intertechnology,Inc.推出业内首款采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管SkyFET SiE726DF,该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的
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Vishay Intertechnology,Inc.推出业内首款采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管SkyFET SiE726DF,该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFET SiE726DF器件采用具有双面冷却功能的PolarPAK封装,可提升高电流、高频运用的效率。
Vishay Intertechnology, Inc. introduces the industry’s first 30-Watt monolithic power MOSFET and Schottky diode SkyFET SiE726DF, with a top-bottom heat sink, to operate efficiently in systems with forced draft cooling. The new SkyFET SiE726DF devices feature a PolarPAK package with double-sided cooling to increase the efficiency of high-current, high-frequency operation.
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