【摘 要】
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我们用光加热低压金属有机物化学气相沉积方法在α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功地外延生长出高质量的纤锌矿ＧａＮ，生长温度约９５０℃，比普通射频加热和ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长温度低１００℃，外延层（０００２）晶面Ｘ射线摇摆曲线半高度（ＦＷＨＭ）为９．８‘，光致发
【基金项目】
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国家863高技术计划,国家攀登计划,国家自然科学基金
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我们用光加热低压金属有机物化学气相沉积方法在α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功地外延生长出高质量的纤锌矿ＧａＮ，生长温度约９５０℃，比普通射频加热和ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长温度低１００℃，外延层（０００２）晶面Ｘ射线摇摆曲线半高度（ＦＷＨＭ）为９．８‘，光致发光光谱（ＰＬ）有很强的带边发射，没有观察到“黄带”发射。
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