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研究采用硅离子注入及高温退火的方法对SOI材料进行抗辐射加固．通过对比发现，制作在加固SOI衬底上的NMOS器件和CMOS反相器在总剂量辐射下性能恶化程度大大降低。陷阱电荷和界面电荷的分析解释了加固机理。结合实验结果和理论分析，证明硅离子注入能有效地加固SOI材料的抗辐射性能．
利用硅离子注入提高SOI材料的抗辐射性能
【摘 要】
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研究采用硅离子注入及高温退火的方法对SOI材料进行抗辐射加固．通过对比发现，制作在加固SOI衬底上的NMOS器件和CMOS反相器在总剂量辐射下性能恶化程度大大降低。陷阱电荷和界面
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2007年A02期
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