SOI(绝缘体上的硅)相关论文
研究采用硅离子注入及高温退火的方法对SOI材料进行抗辐射加固．通过对比发现，制作在加固SOI衬底上的NMOS器件和CMOS反相器在总剂量辐......
本文介绍了关于SOI特殊工艺技术的特点,以及基于此工艺平台设计开发SOC芯片所特有的优势和挑战,并且研究了配套的解决方案,从模型......
